Maria Grazia GRIMALDI

Professore ordinario di FISICA SPERIMENTALE [FIS/01]
Ufficio: Direzione, DFA 205
Email: mariagrazia.grimaldi@ct.infn.it
Telefono: 5422, 5352
maria.grazia.grimaldi
Orario di ricevimento: Martedì e giovedì dalle 13:00 alle 14:00 Contattare il docente in anticipo per verificare che impegni istituzionali non lo costringano a spostare la data.


Laurea in Fisica con lode presso Università di Catania.

1980 research fellow presso Electrical Engineering Department del California Institute of Technology

1981-1983 contratto a tempo determinato Università di Catania

1983-1984 process engineering presso ricerca e sviluppo STM

1984-1998 ricercatore 02/B1 Università di Catania

1998-2006 professore associato 02/B1 Università di Catania

dal 2006 professore ordinario Università di Catania

 

 

 

Full professor of experimental Physics, S.S.D. FIS / 01, since 2006. The research activity is in the field of Materials Physics focused on the growth and characterization of nanostructured materials for energy and environment and of high gap semiconductor for power devices. She has published about 280 papers in ISI journals with a Hindex = 31 (SCOPUS). She tutored about 15 PhD students in Physics or Materials Science and is referee of various international journals. She is the coordinator of the PhD in "Science of Materials and Nanotechnologies" since the XXVIII cycle (2012).  She has been local principal investigator in several national and international projects. She was member of the COS scientific orientation committee of the University of Marseille. She is a member of the international committee of the IBMM conference series, member of the scientific council of the Micro and Nanosystems district, member of the C8 commission of IUPAP. She is disciplinary expert of ANVUR and, since 2013, she has participated to the visits for the accreditation of several italian University.

Anno accademico  

Attività di ricerca sperimentale nel settore della Fisica dei Materiali. 


Gli argomenti di ricerca passati hanno riguardato: 
a)danneggiamento indotto in cristalli da irraggiamento con fasci ionici (Si, SiC, and GaAs): amorfizzazione e ricrescita epitassiale; 
b)attivazione elettrica dei droganti del Silicio e deattivazione; 
c)transizioni di fase liquido-solido indotte da impulsi laser di potenza e formazione di fasi metastabili; 
d)rilassamento del Si amorfo; 
e)transizioni di fase in siliciuri ed effetto del confinamento laterale sulla stabilità delle fasi; 
f)siliciuri semiconduttori (FeSi2) per applicazioni in optoelettronica;
g)impiantazione ionica in Ge: drogaggio, danneggiamento e rimozione del danno. 

L’attività di ricerca attuale riguarda: 
a) realizzazione e caratterizzazione di nanostrutture per autoaggregazione; 
b) nanostrutture metalliche per applicazioni in catalisi, sensoristica ed energia; 
c) calcogenuri; 
d) nanostrutture preparate per ablazione laser in vuoto ed in liquido; 
e) realizzazione e caratterizzazione di strutture nanoporose;
f) modifica e caratterizzazione di semiconduttori ad alta gap per dispositivi di potenza .

 

 

 

Assistenza nella realizzazione di tesi di laurea su argomenti attinenti l'attività di ricerca attuale.