Simulazioni Monte Carlo Cinetico per processi di attacco al plasma

Description
Il crescente sviluppo delle tecnologie dei circuiti integrati ha portato, nel corso degli anni, verso la miniaturizzazione di una vasta gamma di dispositivi che possono essere integrati su un’area di Silicio (Si) sempre più piccola. Una maggiore densità di dispositivi su una stessa area favorisce un aumento delle funzionalità mostrate dal chip, ma comporta anche lo sviluppo di tecniche di fabbricazione sempre più precise che permettano di lavorare su dimensioni fisiche dell’ordine del nanometro. Per questi motivi risulta determinante un controllo accurato delle dimensioni critiche della struttura e una conoscenza precisa delle interazioni sviluppate tra il tipo di processo impiegato e la struttura interessata. La tecnica dell’attacco al plasma è una delle più difficili da controllare e da modellare data la complessità del processo e il grande numero di parametri coinvolti. Abbiamo realizzato un modello che permette di predire l’evoluzione del profilo di attacco e di controllare i parametri coinvolti nel caso di un processo di attacco al plasma. Per rendere possibile la sua realizzazione tutti i fenomeni fisici coinvolti sono stati analizzati e modellati come eventi Monte Carlo. L’impiego di tale tecnica consente di ottenere una rappresentazione a livello atomico di tutti i fenomeni d’interesse, collegando ogni evento a un fenomeno atomico, sulla base di regole probabilistiche. Il modello è stato sviluppato per simulare un qualunque plasma il cui stato è dato in termini di particelle (ionizzate e neutre), dei loro flussi e delle distribuzioni energetiche ed angolari. Per testare il modello si è adottata una rappresentazione maxwelliana per le distribuzioni di probabilità e un plasma HBr/O2. I risultati ottenuti dimostrano l’efficacia di un modello capace di predire correttamente l’evoluzione del profilo e la reale possibilità di fornire un utile supporto ai processi di fabbricazione avanzati di dispositivi elettronici.
Organised by Giuseppe Angilella

Data: 
Martedì, 13 Luglio, 2010